化学机械抛光垫研究进展

　　摘要：化学机械抛光(CMP)作为一种超精密加工技术，在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫设计制备、抛光垫磨损、抛光垫修整均会对化学机械抛光产生影响。本文首先从抛光垫基体、抛光垫表面纹理、抛光垫结构三个方面对抛光垫设计制备相关研究进行了综述，重点介绍了不同基体材质抛光垫的抛光性能，指出了各材质抛光垫的优缺点。其次，介绍了抛光过程及修整过程中的抛光垫磨损，对比了各研究者建立的抛光垫磨损模型，概述了抛光垫磨损监测技术的研究现状并指出目前抛光垫磨损状态的监测手段较为单一，融合多传感器信号对抛光垫磨损状态进行监测可以提高其监测精度。随后，为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响，归纳了修整器结构参数和修整参数对修整效果的影响，介绍了几种新型修整器结构并综述了抛光垫自修整技术的研究进展。最后，总结了目前关于抛光垫设计制备、抛光垫磨损、抛光垫修整方面的研究中存在的问题，对发展前景进行了展望。

　　关键词：化学机械抛光;抛光垫;设计制备;磨损;修整

　　0引言

　　化学机械抛光(CMP)借助于抛光液中化学试剂的化学腐蚀和纳米磨粒的机械磨削双重耦合作用，可以在原子水平上实现材料去除，是目前唯一能在0.35及其以下尺寸器件上同时实现局部和全局平坦化的技术，被广泛应用于光学元件、计算机硬盘、微机电系统、集成电路等领域6]。在CMP过程中，抛光垫起到了储存、输送抛光液，排出废物，传递加工载荷，保证抛光过程平稳进行的作用，其成本占据了CMP总成本的三分之一。

　　CMP过程中，抛光垫浸泡在抛光液中并且与工件以及磨粒发生相对运动，这将引起抛光垫性能下降甚至造成抛光垫的废弃，制备高质量抛光垫并提高其性能稳定性势在必行。本文综述了CMP抛光垫研究进展，指出了目前研究中存在的不足并对CMP抛光垫的下一步研究重点进行了展望，以期为业界和相关研究人员提供参考。

　　1抛光垫设计与制备

　　抛光垫基体、表面纹理及结构是构成抛光垫的三个要素，近几年来，研究者们分别探究了三者对抛光垫性能的影响，并通过改变基体材质、改进基体制备工艺、优化抛光垫表面纹理及结构来提高抛光垫的质量，增加其性能稳定性。

　　1.1抛光垫基体

　　基体是抛光垫的主体部分，抛光垫基体的力学性能与表面微观结构在很大程度上影响着抛光垫抛光性能。Prasad等利用固态微孔发泡工艺(SSMF)制备了抛光垫，探究了抛光垫硬度、表面微孔尺寸以及孔隙率对正硅酸乙酯(TEOS)晶圆片的材料去除率(MRR)及表面质量的影响。研究表明，MRR会随着抛光垫基体的硬度及孔隙率的增加而增加，降低抛光垫硬度可以明显减少晶圆表面划痕数量。抛光垫表面微孔尺寸越大，材料去除越均匀。Han等使用超细胶体二氧化铈磨料对TEOS晶圆进行了化学机械抛光，探究了抛光垫表面粗糙度对MRR的影响。研究发现，当抛光垫表面粗糙度在7μm以上时，MRR约为20nm/min，在7μm以下时，MRR约为200nm/min。

　　Park等使用两种不同类型的修整器分别获得了两种不同的抛光垫表面形貌并探究了其对材料去除均匀性的影响。研究结果显示，表面形貌较为规则的抛光垫的吸水性更好，抛光液分布更加均匀，抛光性能更稳定。除了利用实验探究抛光垫表面形貌对于抛光性能的影响，也有部分学者从理论入手探究了抛光垫表面微观结构对抛光垫晶圆间接触状态及抛光液流动的影响。郭亮龙等10等通过建立磷酸二氢钾(KDP)与抛光垫粗糙峰接触力学数学模型，探究了化学机械抛光中机械作用的影响因素。研究结果显示：抛光垫粗糙峰曲率半径、孔隙率、弹性模量和摩擦系数均会影响化学机械抛光中的微机械作用。四者对表面接触应力的影响由大到小分别是：粗糙峰平均曲率半径、孔隙率、摩擦系数、弹性模量。

　　毛美姣等11等基于弹塑性力学理论，对工件磨粒抛光垫间的接触状态进行了理论分析，计算了各状态下的磨粒压入工件深度。研究结果表明，在完全接触状态下，磨粒的压入深度与抛光垫粗糙峰的实际接触面积成反比。曾庆勉12借助流体力学软件Fluent探究了抛光垫表面微孔对抛光液流动的影响。研究结果显示，抛光液流过抛光垫的粗糙表面时将会产生漩涡，当抛光垫表面孔隙较小或者较浅的时候，产生的漩涡有助于抛光液的更替，磨粒更不容易堵塞抛光垫表面微孔。抛光垫表面形貌对表面接触应力及抛光液流动等都有影响，因此，在建立材料去除率模型时，也应该考虑抛光垫表面形貌变化的影响。

　　张朝晖等[13]对相关研究进行了综述，并指出抛光垫粗糙峰的概率分布函数在很大程度上影响着材料去除率模型的准确性，研究者们应予以重视。改变抛光垫材质、改善抛光垫表面形貌、向抛光垫中浸渍或向抛光垫表面喷涂特殊材料均可以改善基体的力学性能及表面微观结构，提高抛光垫的抛光性能。传统CMP中，游离在抛光液中的磨粒易产生积聚，加工效率较低。

　　利用固结磨粒抛光垫进行抛光虽然可以获得较高的加工效率，提高磨料利用率，但抛光垫中磨粒粘结过于牢固，磨损磨粒难以及时掉落，容易在晶圆表面产生划痕，影响其加工质量。为了在保证材料去除率的同时减少划痕的产生，研究者们仿照大森整等14冰冻固结SiO和水制备冰冻砂轮的方法，将磨料与抛光液直接冰冻，制备了冰冻固结磨粒抛光垫。在使用冰冻固结磨粒抛光垫进行加工时，上层磨损的磨粒由于加工过程产生的热量从冰冻抛光垫上及时脱落，下层固结的锋利磨粒则继续与晶圆接触实现材料去除，这既避免了磨粒游离带来的加工效率低下的问题，又可以保证磨损磨粒的及时掉落，获得较高的加工质量。

　　利用冰冻固结磨粒抛光垫，韩荣久等对微晶玻璃及单晶硅片进行了抛光，获得了较好的抛光效果。孙玉立等20通过实验及仿真明确了单晶硅、微晶玻璃、单晶砷等材料的低温抛光机理，优化了加工工艺参数，并对不同槽型的冰冻固结磨料抛光垫抛光效果进行了比较。Nayak等21等分析了冰冻固结磨料抛光垫融化的影响因素，建立了抛光垫融化速度预测模型，探究了抛光垫融化速度与磨料特性以及工件、抛光垫转速的关系，研究发现，磨粒浓度越高，粒径越小，工件与抛光垫转速越高，冰盘融化速度越快。

　　冰冻固结磨粒抛光垫虽然可以提高抛光效率并避免在晶圆表面产生划痕，但是在制备此类抛光垫的过程中，由于重力作用，磨料很容易沉积在抛光液底部造成磨料分布的不均匀。为解决这个问题，夏保红22制备了冰粒型固结磨料抛光垫。与冰冻固结磨粒抛光垫制备流程不同，制备冰粒型固结磨粒抛光垫时需先用雾化喷嘴将抛光液雾化，然后利用液氮将雾化后的抛光液冷冻成冰粒，再在模具中向获得的冰粒施压使之固结为一体。

　　研究结果发现，相比于冰冻固结磨料抛光盘，冰粒型固结磨粒抛光垫磨料分布更加均匀，加工效率以及加工质量都较高。邵雳23对比了冰粒型固结磨粒抛光垫、热固性固结磨料抛光垫、游离磨料抛光垫对单晶锗片的加工效果，并对抛光工艺参数进行了优化。王勇、汤苏扬等2425则分别从热力学、摩擦磨损的角度，探究了冰粒型固结磨粒抛光垫抛光效果的影响因素，进一步揭示了冰粒型固结磨粒抛光垫抛光机理。除了冰冻固结后的抛光液，聚氨酯、无纺布等也都可以作为抛光垫基体材料来对晶圆进行化学机械抛光。

　　为了研究抛光垫材质对化学机械抛光的影响，徐朝阁26]对比了聚氨酯、无纺布、合成革抛光垫的抛光效果。研究结果发现，虽然聚氨酯抛光垫和无纺布抛光垫的材料去除率均高于合成革，但是由于使用聚氨酯抛光时材料去除率下降速度非常快，因此选择使用无纺布抛光垫来对铌酸锂晶体进行化学机械抛光可以获得更好的效果。周海等27]对比了带绒毛的无纺布抛光垫(科晶抛光垫)、聚氨酯类抛光垫(ICl400抛光垫)、无纺布抛光垫(Suba600)的抛光效果。研究结果显示：三种抛光垫中，科晶抛光垫的抛光效率最高，但IC1400的使用寿命最长。

　　熊伟28]则对比了聚氨酯抛光垫、聚四氟乙烯抛光垫、无纺布抛光垫对钽酸锂晶片的抛光效果。研究结果发现，无纺布抛光垫容纳固体磨料的能力较低，抛光效率低下，聚四氟乙烯抛光垫的硬度较高，抛光效率高，但抛光后晶片表面划痕多，聚氨酯抛光垫抛光性能最优。龚凯29]对比了Politex型阻尼布、Suba600型无纺布、LP57型聚氨酯三种材质的抛光垫对氧化镓的抛光效果。

　　结果表明：利用Suba600对氧化镓进行化学机械抛光虽然可以获得最大的材料去除率，但容易在晶圆表面产生划痕。利用阻尼布抛光垫及聚氨酯抛光垫对氧化镓进行化学机械抛光则都可以满足加工质量的要求，且聚氨酯的材料去除率较高。毛美姣等30]在种材质抛光垫中优选了细帆布、超纤化合布、中密人造植绒、聚氨酯化合物、聚氨酯抛光皮种适合YG8硬质合金刀片抛光的抛光垫，探究了种抛光垫在各个加工时间段的抛光效果。研究结果显示：当使用细帆布加工40min时，材料去除率最高，为47.105nm/min;当使用细帆布加工80min时，表面粗糙度最低，为0.039。

　　在化学机械抛光过程中，改善抛光垫表面形貌也有助于提高加工质量。目前研究者们多通过改进修整方式来改善抛光垫表面形貌，除此之外，则仅有Kim等1,2]从粗糙峰形貌入手，分析了抛光垫粗糙峰形貌对晶圆划擦的影响并指出粗糙峰半径与粗糙峰高度标准差之比是影响晶圆划擦的关键参数，利用金属板或者金属滚筒向粗糙峰施压可以提高两者比例进而减少表面划痕数量，使MRR增加30%。目前使用的聚氨酯抛光垫基体中一般含有大量气孔，这些气孔在抛光过程中起到了运输抛光液、保证化学腐蚀、排除废弃物的作用，但是这些气孔尺寸不一，分布不均匀，影响抛光垫的密度以及刚度，会导致抛光垫表面粗糙峰高度变化，造成表面形貌测量误差33。

　　为解决上述问题，Tsai等4,34制备了无孔聚氨酯石墨浸渍抛光垫并探究了石墨含量对抛光垫性能的影响，研究发现相比于传统的聚氨酯抛光垫，石墨浸渍垫修整磨损率更低，晶圆材料去除率更高，抛光垫亲水性能随着石墨含量的增加而提高。

　　Ho等35将Fe浸渍在抛光垫中，利用Fe作为催化剂来催化SiC晶圆与抛光液中之间的化学反应。研究发现，与传统抛光垫相比，Fe与Al含量分别为1wt%和3wt%的抛光垫可以在不增加晶圆表面粗糙度的条件下使MRR提高73%。Zhou等36向抛光垫表面喷涂改性TiO，利用TiO在UV光的照射下会释放出电子并产生空穴的性质促进CMP中化学反应的进行。实验证明，相对于传统抛光垫，利用该抛光垫对SiC进行抛光可以提高MRR并获得具有原子台阶结构的低粗糙度超光滑晶圆表面。

　　1.2抛光垫表面纹理

　　抛光垫表面上的沟槽及突起图案可以促进抛光垫表面抛光液的流动，提高抛光垫与晶圆之间的摩擦，对抛光产物的排出、抛光液利用率以及MRR有着较大的影响。部分学者通过流体动力学仿真及抛光实验，对比了不同表面纹理的抛光垫的抛光性能。杨张一20列举了几种常见抛光垫表面纹理，并对比了放射状沟槽冰盘、栅格状沟槽冰盘、普通冰盘的抛光效果。实验结果显示，相比于普通冰盘，放射状沟槽冰盘对微晶玻璃的材料去除率提高了42%，栅格状沟槽冰盘的材料去除率提高了27%。

　　Hong等37对比了表面纹路为同心圆状以及表面纹路为同心圆与放射状复合纹路的抛光垫的抛光性能。研究结果显示，相比于表面纹路为同心圆状的抛光垫，表面纹路为复合纹路(如图5b所示)的抛光垫上抛光液分布更加均匀，材料去除均匀性更高，但是抛光液流动较快，限制了化学反应，MRR较低。部分学者从抛光液流动均匀性、加工效率等角度出发，对抛光垫表面纹理进行了设计。

　　Li等38通过流体动力学分析设计出一种槽深为1.5mm、槽宽为2mm的螺旋状表面纹理。研究发现，相比于放射状纹理抛光垫，该抛光垫上流体分布更加均匀，径向速度波动更小，利用该抛光垫加工的晶圆表面粗糙度(0.251nm)比放射纹理状抛光垫(0.561nm)小。Li等39从抛光垫磨损的角度出发，提出了分区抛光垫的概念，并探究了最佳的区域面积比以及对应磨粒密度。

　　吕玉山等4]基于生物学的叶序理论设计了葵花籽粒结构的仿生抛光垫(如图5d所示)，并分别研究了叶序参数对接触压强、晶片材料去除率、抛光液流动状态及晶圆表面粗糙度的影响。常规抛光工艺通常需要消耗数小时或数天的时间，为了提高平面光学器件的制造效率，Li等45提出了一种晶圆材料去除率预测方法，并基于此方法确定了抛光垫表面沟槽分布及抛光时间。实验验证了该预测方法的可行性以及稳定性。利用该方法对光学玻璃样品进行抛光时，只需要14分钟就可以将其表面轮廓的峰谷值(PV)从1.17降至0.2。

　　Huey等46通过增加抛光垫沟槽深度及抛光垫厚度制备了新型抛光垫IC1010DV，该抛光垫的寿命是IC1000的两倍。Philipossian等47通过实时监测抛光过程中的摩擦系数，探究了抛光液流速对抛光垫寿命的影响，为抛光垫表面纹理的设计提供了理论支持。研究结果显示，增加抛光液流速可以在不影响平均材料去除率的情况下，有效延长抛光垫寿命。在探究抛光垫表面纹理对抛光垫力学性能影响方面，仅有He等48提出了基体实体层和粗糙层的刚度预测模型，并通过有限元模型以及实验分别对其进行了验证。研究发现，相比于常用的均匀层厚(UTL)模型，该模型对带槽抛光垫实体层刚度的预测精度提高了20%，精确地描绘了抛光垫表面纹理对抛光垫刚度的影响，可以为抛光垫表面纹理的设计优化提供理论指导。

　　1.3抛光垫结构

　　除了优化抛光垫表面纹理，改进抛光垫的结构也可以提高抛光质量及效率。Kim等49探究了孔结构抛光垫的孔密度对CMP性能的影响。研究发现，抛光过程中，孔垫表面结构几乎不变。孔密度越高，抛光垫晶圆接触比越高，沟槽图案晶圆的凹陷越明显，表面划痕越少。基于普林斯顿方程，如果抛光垫弹性模量沿着径向线性变化，那么在相同的抛光垫变形下，晶圆表面应力也沿着径向发生线性变化，晶圆材料去除将更为均匀。

　　基于这种思路，董晓星等5053提出功能梯度抛光垫的概念，并探究了功能梯度抛光垫材料选择原则，对功能梯度抛光垫结构进行了设计和改进。实验结果显示，当磨粒橡胶质量比处于15:100~50:100区间时，两者的混合均匀性更好。相比于丙烯酸酯橡胶(ACM)为基体，以氯丁橡胶(CR)为基体的颗粒橡胶复合材料动静态应力更一致。

　　虽然单层功能梯度抛光垫提高了晶圆材料去除均匀性，但是由于各梯度环内磨粒占比不同，各环内普林斯顿比例常数不同，材料去除均匀性仍有提高的空间。双层功能梯度抛光垫中，上层抛光垫的出现避免了磨粒占比对比例常数的影响，与单层功能梯度盘相比，双层功能梯度盘上各环MRR之差降低了47.75%，抛光垫耐磨性提高了38%。根据弹性接触理论，提高抛光垫的泊松比及杨氏模量各向异性、减少抛光垫厚度均可以抑制抛光过程中晶圆边缘应力集中现象。

　　不同于其他学者常用单面抛光实验验证相关理论，Statake等5457基于有限元分析及双面抛光实验验证了这一理论，并提出上薄下厚、上软下硬的抛光垫结构、较大的表面沟槽宽高比以及较小的加工过程占空比也可以有效减轻边缘应力集中现象。对于聚氨酯抛光垫来说，抛光液只能够存在于工件与抛光垫的缝隙中，而不能够渗透到抛光垫内部，这将影响抛光过程中反应产物的及时排出，造成抛光垫表面孔隙堵塞，进而损伤晶圆表面，降低加工质量。Tsai等5860通过从高处喷涂乙烯醋酸乙烯热熔胶制作了丝状结构的抛光垫。相较于传统抛光垫，该抛光垫表面结构更为疏松，抛光垫上抛光液流动性更好，有助于抛光副产品的排出。

　　2抛光垫磨损及状态监测

　　CMP过程中，抛光垫与晶圆之间发生相对运动从而实现材料去除，抛光垫磨损将影响抛光垫表面形貌进而影响加工效果。近几年来，研究者们分别探究了抛光过程及修整过程中的抛光垫磨损，对抛光垫磨损监测技术进行了研究。

　　2.1抛光垫磨损

　　抛光过程中，由于抛光垫与晶圆的相对运动，抛光垫表面粗糙峰逐渐被磨平，抛光垫将发生磨损。针对抛光过程中的抛光垫磨损，Li、唐咏凯等61,62分别分析了抛光过程中两种工件运动方式(如表)下抛光垫的磨损，建立了抛光垫磨损模型，探究了抛光参数对抛光垫磨损均匀性的影响。Belkhir等63观测了抛光垫磨损后抛光垫的表面形貌变化，探究了其对抛光性能的影响。研究发现，随着抛光时间的增加，抛光垫表面出现划痕，表面微孔形状发生变化，磨粒以及光学玻璃碎屑在抛光垫上形成水垢。

　　抛光垫虽然在抛光开始后就出现磨损，但是前小时内抛光垫的磨损较慢。相对于晶圆形状精度，抛光垫磨损对晶圆表面粗糙度影响较小。除了将抛光过程中抛光垫与晶圆的相对运动造成的抛光垫表面形貌变化视为抛光垫磨损，学者们也将修整过程中由于修整器修整轨迹不均匀引起的抛光垫面型变化视为抛光垫磨损。通过简化修整过程，研究者们建立了修整过程中抛光垫磨损模型，探究了修整过程中不同修整器运动方式下抛光垫的磨损。

　　Li等64通过分区域计算抛光垫磨损量来预测修整后抛光垫面型，减少了抛光垫磨损预测所需的计算量。Nguyen等6567通过分析修整器修整轨迹及修整时间对抛光垫面型的影响建立了抛光垫磨损模型，探究了修整参数对于抛光垫磨损的影响。相比于只考虑修整轨迹的模型，该模型与实际情况更加符合。

　　在一些修整过程中，修整器由摆臂带动做近似直线运动，修整器旋转由抛光垫旋转带动。针对此种修整方式，Chen等68建立的模型中不仅仅考虑了磨粒切削轨迹分布、磨粒与抛光垫的相对速度及接触时间对抛光垫面型的影响，也考虑了摆臂运动带来的轨迹误差对抛光垫面型的影响，模型的精度得到了提高。Pham等69在上述模型的基础上，探究了修整轨迹重叠对抛光垫表面粗糙度的影响。研究结果显示修整轨迹重叠将增大抛光垫表面粗糙度，可通过计算轨迹重叠点对抛光垫各区域的粗糙度进行预测。

　　通过简化修整过程探究其对抛光垫磨损的影响虽然给研究者们理解抛光垫磨损提供了很好的参考依据，但是在实际加工过程中修整器磨损以及抛光垫力学性能变化都将对抛光垫磨损产生影响，利用上述模型进行的预测往往精度不高，仅能用于对抛光垫磨损引起的面型变化做定性分析。

　　2.2抛光垫磨损状态监测

　　抛光垫磨损对加工质量、加工效率都有直接影响，在CMP过程中，一般需及时地了解抛光垫磨损状态来确定下一步操作。依靠操作者的经验来判断抛光垫磨损状态将增加加工成本，影响加工效率，判断结果可靠性低，抛光垫磨损状态监测技术应运而生。

　　Yin等70利用高精度测角器测量修整器在在线修整过程中的倾斜角，获得了较为精确的抛光垫面型。Chen等71利用固定在摆动修整臂上的彩色共聚焦传感器测量抛光垫表面高度信息，并提出抛光垫均匀性(PU)、抛光垫寿命指数(PELI)两个指标对抛光垫性能进行评估。Chen等72则通过向抛光垫上监测元件发射光束并观察监测元件上下表面反射形成的干涉条纹，来间接获得抛光垫表面形貌。在Liao等73设计的表面形貌监测装置中，抛光垫上方导轨带动激光位移传感器以及监测平面沿抛光垫径向移动，监测平面被限定在传感器正下方但其高度可随着抛光垫表面浮动。监测平面的引入避免了抛光垫表面微孔及沟槽对测量结果的影响，提高了监测精度。

　　抛光垫磨损不仅会引起光学信号的变化，也会引起声发射信号、力信号等信号的变化。目前已有学者利用传感器探测出釉化的抛光垫与修整后的抛光垫在抛光过程中产生的声发射信号、力信号等间接信号存在差异74,75，但是尚未见到有学者通过这些信号对抛光垫磨损状态进行监测，应进一步探究抛光过程中声发射信号、力信号等间接信号与抛光垫磨损状态的关系，融合多传感器信号对抛光垫磨损状态进行监测以获得更高的监测精度。

　　3抛光垫修整

　　虽然修整器修整轨迹不均匀会对抛光垫面型产生负面影响，但是抛光垫修整也能够有效地去除抛光垫表面釉化区域，恢复抛光垫表面粗糙峰，CMP中，抛光垫修整不可或缺。针对抛光垫修整，近几年，研究者们除了探究修整过程对抛光垫磨损的影响，还探究了修整过程中修整器结构、修整参数对修整性能的影响，制备了亲水性固结磨粒抛光垫，实现了抛光垫的自修整。

　　4结论与展望

　　目前，国内外学者在CMP抛光垫研究方面取得了一系列进展，但随着对加工质量、加工效率的要求越来越高，笔者认为可以对以下几个方面进行更深入的研究。

　　(1)抛光垫的表面纹理影响着抛光液的流动及分布，进而影响着抛光质量以及抛光效率，但是目前对于抛光垫表面纹理研究多针对于特定的形状，对表面纹理设计的理论研究较少，有必要进一步探究抛光垫表面纹理几何参数对抛光性能的影响，建立一个完善的理论体系指导表面纹理设计。(2)目前学者们多利用光学手段直接监测抛光垫表面磨损状态，监测手段单一，探究抛光过程中声发射信号、力信号等间接信号与抛光垫磨损状态的关系，融合多传感器信号对抛光垫磨损状态进行监测可以获得更高的监测精度，发展前景较好。(3)虽然利用亲水性聚合物作为抛光垫的基体可以实现抛光垫的自修整而不需要附加的修整器，但是抛光垫自修整性能受到抛光参数的影响，基体遇水溶胀也会引起其力学性能变化，因此需要进一步探究加工参数对自修整性能的影响，改进抛光垫材质，避免抛光垫遇水溶胀引起过大的抛光性能波动。

　　(4)相较于单面化学机械抛光，双面化学机械抛光可以获得更优的整体以及局部平整度加工效率更高，但是目前针对双面化学机械抛光垫的研究较少。针对双面化学机械抛光，探究抛光垫的性能优化方法，了解其磨损特点并改进其修整方式具有不可忽视的价值。(5)除了抛光垫的抛光效率及抛光质量，抛光垫使用寿命也是制造商们选择抛光垫时所需要参考的一个重要指标。但由于相关的研究实验耗时长、实验成本大等原因，目前针对于抛光垫使用寿命的研究较少，开展抛光垫寿命研究并准确的表征抛光垫使用寿命可以为制造商们提供更多的参考，有很大的应用价值。

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　　作者：曹威1,2,邓朝晖1,2,李重阳1,2,葛吉民1,